MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC - FDS8884 - Diskrete Halbleiterprodukte

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Digi-Key Teilenummer FDS8884TR-ND
Preisreduzierung Einheitspreis Gesamtpreis
2500 0.15658 391.45
5000 0.14695 734.75
10000 0.13651 1365.10
25000 0.12928 3232.00
50000 0.12687 6343.50
Hersteller-TeilenummerFDS8884
BeschreibungMOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
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MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC - FDS8884 - Diskrete Halbleiterprodukte
Technische InformationFDS8884
HerstellerFairchild Semiconductor
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte
MontagetypOberflächenmontage
Typ FETMOSFET-N-Kanal, Metalloxid
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)30V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C8,5A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C23 mOhm @ 8,5A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds 635pF @ 15V
Leistung - max.2,5W
VerpackungBand und Spule (Tape and Reel - TR)
Gateaufladung (Qg) @ Vgs13nC @ 10V
Verpackung / Behälter8-SOIC (3,9 mm breit)
Bleifrei StatusLead Free
RoHS StatusRoHS Compliant
Andere Namen FDS8884
FDS8884
FDS8884TR ND
FDS8884TRND
FDS8884TR
Image of MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC - FDS8884
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MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC - FDS8884
(FDS8884TR-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC - FDS8884 (FDS8884TR-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

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MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC - FDS8884
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MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC - FDS8884
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MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC - FDS8884
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MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC - IRF7403TR
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MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC - ZXMN3A04DN8TA
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MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC - ZXMN3A04DN8TA
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MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC - ZXMN3A04DN8TA
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MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC - IRF7403TRPBF
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MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC - IRF7403TRPBF
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MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC - IRF7403PBF
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