TRANS NPN GP AMP 50VCEO MINI 3P - 2SD0601A0L - Diskrete Halbleiterprodukte

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2SD0601A0L

Beschreibung

TRANS NPN GP AMP 50VCEO MINI 3P

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TRANS NPN GP AMP 50VCEO MINI 3P - 2SD0601A0L - Diskrete Halbleiterprodukte

Technische Information	2SD0601A0L
Hersteller	Panasonic - SSG
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	100mA
Leistung - max.	200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	160 @ 2mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA
Frequenz - Übergang	150MHz
Strom - Kollektorrest (Ic) (max.)	100µA
Montagetyp	Oberflächenmontage
Verpackung / Behälter	Mini3-G1 (SC-59)
Bleifrei Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	2SD0601A0L 2SD0601A0L 2SD0601A0LTR ND 2SD0601A0LTRND 2SD0601A0LTR

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TRANS NPN GP AMP 50VCEO MINI 3P - 2SD0601A0L
(2SD0601A0LTR-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

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TRANS NPN GP AMP 50VCEO MINI 3P - 2SD0602ARL
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