MOSFET N-CH 650V 31A D2PAK - IPB60R099CP - Diskrete Halbleiterprodukte

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Digi-Key Teilenummer

IPB60R099CPTR-ND

Preisreduzierung	Einheitspreis	Gesamtpreis
1000	3.28588	3285.88

Hersteller-Teilenummer

IPB60R099CP

Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 31A D2PAK

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Non-Stock

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MOSFET N-CH 650V 31A D2PAK - IPB60R099CP - Diskrete Halbleiterprodukte

Technische Information	IPB60R099CP
Hersteller	Infineon Technologies
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Montagetyp	Oberflächenmontage
Typ FET	MOSFET-N-Kanal, Metalloxid
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)	650V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C	31A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C	99 mOhm @ 18A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds	2800pF @ 100V
Leistung - max.	255W
Verpackung	Band und Spule (Tape and Reel - TR)
Gateaufladung (Qg) @ Vgs	80nC @ 10V
Verpackung / Behälter	D²Pak, TO-263 (2 Anschlüsse u. Kühlfahne)
Bleifrei Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	IPB60R099CP IPB60R099CP IPB60R099CPTR ND IPB60R099CPTRND IPB60R099CPTR

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MOSFET N-CH 650V 31A D2PAK - IPB60R099CP
(IPB60R099CPTR-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

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MOSFET N-CH 650V 31A D2PAK - IPB60R099CP
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MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK - SPB20N60C3
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MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK - SPB03N60C3
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MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK - SPB02N60C3
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MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK - SPB11N60C3
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MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK - SPB04N60C3
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MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK - SPB02N60C3
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MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK - SPB03N60C3
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