DIODE ZENER 12V 500MW DO-35 - 1N6002B - Diskrete Halbleiterprodukte

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1N6002B

Beschreibung

DIODE ZENER 12V 500MW DO-35

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DIODE ZENER 12V 500MW DO-35 - 1N6002B - Diskrete Halbleiterprodukte

Technische Information	1N6002B
Hersteller	Fairchild Semiconductor
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Spannung - Zener (Vz) (nom.)	12V
Leistung - max.	500mW
Impedanz (max.) (Zzt)	22 Ohm
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) @ If	1,2V @ 200mA
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	100nA @ 9,1V
Toleranz	±5%
Montagetyp	Durchsteckloch, axial
Verpackung / Behälter	DO-204AH, DO-35, axial
Verpackung	Masse
Betriebstemperatur	-65°C ~ 200°C
Bleifrei Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	1N6002B 1N6002B

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DIODE ZENER 12V 500MW DO-35 - 1N6002B
(1N6002B-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

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DIODE ZENER 12V 500MW DO-35 - 1N6002B
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DIODE ZENER 12V 500MW DO-35 - 1N6002B_T50A
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DIODE ZENER 12V 500MW DO-35 - 1N6002B_T50R
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DIODE ZENER 12V 500MW DO-35 - 1N5242B
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DIODE ZENER 12V 500MW DO-35 - 1N5242B_T50R
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DIODE ZENER 12V 500MW DO-35 - 1N5242BTR
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DIODE ZENER 12V 500MW DO-35 - 1N759A
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DIODE ZENER 12V 500MW DO-35 - 1N963BTR
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