MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC - FDS6675 - Diskrete Halbleiterprodukte

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Digi-Key Teilenummer

FDS6675CT-ND

Preisreduzierung	Einheitspreis	Gesamtpreis
1	1.09	1.09
10	0.975	9.75
100	0.774	77.40
250	0.67368	168.42
500	0.602	301.00
750	0.51601	387.01
1000	0.47301	473.01
2000	0.44434	888.68

Hersteller-Teilenummer

FDS6675

Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC

Verfügbare Menge

14365

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MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC - FDS6675 - Diskrete Halbleiterprodukte

Technische Information	FDS6675
Hersteller	Fairchild Semiconductor (VA)
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Montagetyp	Oberflächenmontage
Typ FET	MOSFET-P-Kanal, Metalloxid
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)	30V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C	11A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C	14 mOhm @ 11A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds	3000pF @ 15V
Leistung - max.	1W
Verpackung	Am Band (Cut Tape - CT)
Gateaufladung (Qg) @ Vgs	42nC @ 5V
Verpackung / Behälter	8-SOIC (3,9 mm breit)
Bleifrei Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	FDS6675 FDS6675 FDS6675CT ND FDS6675CTND FDS6675CT

Image of MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC - FDS6675

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC - FDS6675
(FDS6675CT-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

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MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC - FDS6675
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MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC - FDS6675
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MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC - IRF7467
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MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC - IRF7466TR
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MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC - IRF7467TR
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MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC - IRF7424TR
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MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC - IRF7807ZTR
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MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC - IRF7807Z
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