MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 - NTR2101PT1G - Diskrete Halbleiterprodukte

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Digi-Key Teilenummer

NTR2101PT1GOSCT-ND

Preisreduzierung	Einheitspreis	Gesamtpreis
1	0.38	0.38
10	0.307	3.07
100	0.2199	21.99
250	0.17932	44.83
500	0.16776	83.88
1000	0.13305	133.05

Hersteller-Teilenummer

NTR2101PT1G

Beschreibung

MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23

Verfügbare Menge

20223

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MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 - NTR2101PT1G - Diskrete Halbleiterprodukte

Technische Information	NTR2101PT1G
Hersteller	ON Semiconductor (VA)
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Montagetyp	Oberflächenmontage
Typ FET	MOSFET-P-Kanal, Metalloxid
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)	8V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C	3,7A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C	52 mOhm @ 3,5A, 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds	1173pF @ 4V
Leistung - max.	960mW
Verpackung	Am Band (Cut Tape - CT)
Gateaufladung (Qg) @ Vgs	15nC @ 4,5V
Verpackung / Behälter	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Bleifrei Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	NTR2101PT1G NTR2101PT1G NTR2101PT1GOSCT ND NTR2101PT1GOSCTND NTR2101PT1GOSCT

Image of MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 - NTR2101PT1G

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 - NTR2101PT1G
(NTR2101PT1GOSCT-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 - NTR2101PT1G (NTR2101PT1GOSCT-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

In Verbindung stehende Teile MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 - NTR2101PT1G (NTR2101PT1GOSCT-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte :
MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 - NTR2101PT1G
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MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 - NTR2101PT1G
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MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 - NTR2101PT1G
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MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 - NTR2101PT1
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MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 - IRLML6402TR
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MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 - IRLML6402TR
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MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6 - ZXMN3A03E6TA
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MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6 - ZXMN3A03E6TA
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MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6 - ZXMN3A03E6TA
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MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 - IRLML6402TRPBF
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