MOSFET P-CH 30V 900MA SSOT3 - NDS352AP - Diskrete Halbleiterprodukte

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Digi-Key Teilenummer

NDS352APTR-ND

Preisreduzierung	Einheitspreis	Gesamtpreis
3000	0.13731	411.93
6000	0.12848	770.88
12000	0.11965	1435.80
24000	0.11322	2717.28
48000	0.11081	5318.88

Hersteller-Teilenummer

NDS352AP

Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 900MA SSOT3

Verfügbare Menge

18000

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MOSFET P-CH 30V 900MA SSOT3 - NDS352AP - Diskrete Halbleiterprodukte

Technische Information	NDS352AP
Hersteller	Fairchild Semiconductor
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Montagetyp	Oberflächenmontage
Typ FET	MOSFET-P-Kanal, Metalloxid
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)	30V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C	900mA
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C	300 mOhm @ 1A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds	135pF @ 15V
Leistung - max.	460mW
Verpackung	Band und Spule (Tape and Reel - TR)
Gateaufladung (Qg) @ Vgs	3nC @ 4,5V
Verpackung / Behälter	3-SSOT, SuperSOT-3
Bleifrei Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	NDS352AP NDS352AP NDS352APTR ND NDS352APTRND NDS352APTR

Image of MOSFET P-CH 30V 900MA SSOT3 - NDS352AP

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MOSFET P-CH 30V 900MA SSOT3 - NDS352AP
(NDS352APTR-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

MOSFET P-CH 30V 900MA SSOT3 - NDS352AP (NDS352APTR-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

In Verbindung stehende Teile MOSFET P-CH 30V 900MA SSOT3 - NDS352AP (NDS352APTR-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte :
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MOSFET P-CH 30V 900MA SSOT3 - NDS352AP
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MOSFET P-CH 30V 900MA SSOT3 - NDS352AP
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MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3 - NDS351N
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MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3 - NDS355N
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MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3 - NDS351N
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MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3 - NDS355N
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MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 - FDN337N
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MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 - NDS351AN
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MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3 - NDS355AN
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