MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK - IRF9510S - Diskrete Halbleiterprodukte

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IRF9510S

Beschreibung

MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK

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MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK - IRF9510S - Diskrete Halbleiterprodukte

Technische Information	IRF9510S
Hersteller	Vishay/Siliconix
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Montagetyp	Oberflächenmontage
Typ FET	MOSFET-P-Kanal, Metalloxid
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)	100V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C	4A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C	1,2 Ohm @ 2,4A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds	200pF @ 25V
Leistung - max.	3,7W
Verpackung	Rohr
Gateaufladung (Qg) @ Vgs	8,7nC @ 10V
Verpackung / Behälter	D²Pak, TO-263 (2 Anschlüsse u. Kühlfahne)
Bleifrei Status	Contains Lead
RoHS Status	RoHS Non-Compliant
Andere Namen	IRF9510S IRF9510S

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MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK - IRF9510S
(IRF9510S-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

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MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK - IRF9510S
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MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK - IRF9510STRL
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MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK - IRF9510STRR
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MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB - IRF9510
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MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK - IRF510S
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MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK - IRF530S
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MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK - IRF530STRR
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MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK - IRF540S
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MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK - IRF540STRL
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MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK - IRF540STRR
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