TRANS PNP GP 40V 200MA SC75-3 - MMBT3906TT1G - Diskrete Halbleiterprodukte

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Digi-Key Teilenummer

MMBT3906TT1GOSDKR-ND

Preisreduzierung	Einheitspreis	Gesamtpreis
1	0.31	0.31
10	0.207	2.07
100	0.0902	9.02
250	0.0586	14.65
500	0.04148	20.74
1000	0.02931	29.31

Hersteller-Teilenummer

MMBT3906TT1G

Beschreibung

TRANS PNP GP 40V 200MA SC75-3

Verfügbare Menge

Available

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TRANS PNP GP 40V 200MA SC75-3 - MMBT3906TT1G - Diskrete Halbleiterprodukte

Technische Information	MMBT3906TT1G
Hersteller	ON Semiconductor (VA)
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Transistor-Typ	PNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	40V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	200mA
Leistung - max.	200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 1V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA
Frequenz - Übergang	250MHz
Strom - Kollektorrest (Ic) (max.)	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Verpackung / Behälter	SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini
Bleifrei Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	MMBT3906TT1G MMBT3906TT1G MMBT3906TT1GOSDKR ND MMBT3906TT1GOSDKRND MMBT3906TT1GOSDKR

Image of TRANS PNP GP 40V 200MA SC75-3 - MMBT3906TT1G

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TRANS PNP GP 40V 200MA SC75-3 - MMBT3906TT1G
(MMBT3906TT1GOSDKR-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

TRANS PNP GP 40V 200MA SC75-3 - MMBT3906TT1G (MMBT3906TT1GOSDKR-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

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TRANS PNP GP 40V 200MA SC75-3 - MMBT3906TT1G
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TRANS PNP GP 40V 200MA SC75-3 - MMBT3906TT1G
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TRANS PNP GP 40V 200MA SC75-3 - MMBT3906TT1G
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TRANS PNP GP 50V 100MA SC75-3 - 2SA1774G
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TRANS PNP GP 40V 200MA SOT-23 - MMBT3906LT3G
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TRANS PNP BIPO 40V 200MA SOT89-3 - DXT3906-13
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TRANS PNP GP SS 200MA 40V TO92 - 2N3906RLRAG
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TRANS PNP GP SS 200MA 40V TO92 - 2N3906RLRAG
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TRANS SS PNP GP 40V 200MA TO-92 - 2N3906G
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TRANS SS PNP GP 40V 200MA TO-92 - 2N3906RL1G
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