MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC - SI7960DP-T1-E3 - Diskrete Halbleiterprodukte

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Digi-Key Teilenummer

SI7960DP-T1-E3CT-ND

Preisreduzierung	Einheitspreis	Gesamtpreis
1	3.2	3.20
25	2.2124	55.31
100	2.0978	209.78
250	1.90712	476.78
500	1.75456	877.28
1000	1.33499	1334.99

Hersteller-Teilenummer

SI7960DP-T1-E3

Beschreibung

MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC

Verfügbare Menge

Non-Stock

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MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC - SI7960DP-T1-E3 - Diskrete Halbleiterprodukte

Technische Information	SI7960DP-T1-E3
Hersteller	Vishay/Siliconix (VA)
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Montagetyp	Oberflächenmontage
Typ FET	2 N-Kanal (zweifach)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)	60V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C	6,2A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C	21 mOhm @ 9,7A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds	-
Leistung - max.	1,4W
Verpackung	Am Band (Cut Tape - CT)
Gateaufladung (Qg) @ Vgs	75nC @ 10V
Verpackung / Behälter	PowerPAK® SO-8 zweif.
Bleifrei Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	SI7960DP T1 E3 SI7960DPT1E3 SI7960DP T1 E3CT ND SI7960DPT1E3CTND SI7960DP-T1-E3CT

Image of MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC - SI7960DP-T1-E3

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MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC - SI7960DP-T1-E3
(SI7960DP-T1-E3CT-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC - SI7960DP-T1-E3 (SI7960DP-T1-E3CT-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

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MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC - SI7960DP-T1-E3
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MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC - SI7960DP-T1-E3
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MOSFET DUAL P-CH 60V 8-SOIC - SI7949DP-T1-E3
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MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC - SI7964DP-T1-E3
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MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC - SI7964DP-T1-E3
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MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC - SI4559ADY-T1-E3
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MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC - SI4914DY-T1-E3
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