MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 - SI2351DS-T1-E3 - Diskrete Halbleiterprodukte

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Digi-Key Teilenummer

SI2351DS-T1-E3TR-ND

Preisreduzierung	Einheitspreis	Gesamtpreis
3000	0.2136	640.80
6000	0.20292	1217.52
12000	0.19834	2380.08
24000	0.19071	4577.04
51000	0.18766	9570.66
99000	0.18308	18124.92

Hersteller-Teilenummer

SI2351DS-T1-E3

Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Verfügbare Menge

Non-Stock

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MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 - SI2351DS-T1-E3 - Diskrete Halbleiterprodukte

Technische Information	SI2351DS-T1-E3
Hersteller	Vishay/Siliconix
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Montagetyp	Oberflächenmontage
Typ FET	MOSFET-P-Kanal, Metalloxid
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)	20V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C	2,8A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C	115 mOhm @ 2,4A, 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds	250pF @ 10V
Leistung - max.	2,1W
Verpackung	Band und Spule (Tape and Reel - TR)
Gateaufladung (Qg) @ Vgs	5,1nC @ 5V
Verpackung / Behälter	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Bleifrei Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	SI2351DS T1 E3 SI2351DST1E3 SI2351DS T1 E3TR ND SI2351DST1E3TRND SI2351DS-T1-E3TR

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MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 - SI2351DS-T1-E3
(SI2351DS-T1-E3TR-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 - SI2351DS-T1-E3 (SI2351DS-T1-E3TR-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

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MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 - SI2351DS-T1-E3
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MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 - SI2351DS-T1-E3
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MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 - SI2351DS-T1-GE3
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MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 - SI2351DS-T1-GE3
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MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 - SI2351DS-T1-GE3
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MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 - SI2301BDS-T1-E3
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MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 - SI2302ADS-T1-E3
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MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 - SI2312BDS-T1-E3
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MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 - SI2314EDS-T1-E3
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