MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 - SI2333DS-T1-E3

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Digi-Key Teilenummer

SI2333DS-T1-E3TR-ND

Preisreduzierung	Einheitspreis	Gesamtpreis
3000	0.27101	813.03
6000	0.26098	1565.88
12000	0.25295	3035.40
24000	0.24893	5974.32
51000	0.2409	12285.90

Hersteller-Teilenummer

SI2333DS-T1-E3

Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Verfügbare Menge

60000

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MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 - SI2333DS-T1-E3 - Diskrete Halbleiterprodukte

Technische Information	SI2333DS-T1-E3
Hersteller	Vishay/Siliconix
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Montagetyp	Oberflächenmontage
Typ FET	MOSFET-P-Kanal, Metalloxid
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)	12V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C	4,1A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C	32 mOhm @ 5,3A, 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds	1100pF @ 6V
Leistung - max.	750mW
Verpackung	Band und Spule (Tape and Reel - TR)
Gateaufladung (Qg) @ Vgs	18nC @ 4,5V
Verpackung / Behälter	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Bleifrei Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	SI2333DS T1 E3 SI2333DST1E3 SI2333DS T1 E3TR ND SI2333DST1E3TRND SI2333DS-T1-E3TR

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MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 - SI2333DS-T1-E3
(SI2333DS-T1-E3TR-ND)

MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 - SI2333DS-T1-E3 (SI2333DS-T1-E3TR-ND)

In Verbindung stehende Teile MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 - SI2333DS-T1-E3 (SI2333DS-T1-E3TR-ND):
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 - SI2333DS-T1-E3
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MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 - SI2333DS-T1-E3
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MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 - SI2333DS-T1-E3
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MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 - SI2315BDS-T1-E3
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MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 - SI2315BDS-T1-E3
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MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 - SI2315BDS-T1-E3
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MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3 - SI2333CDS-T1-E3
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MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3 - SI2333CDS-T1-E3
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MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3 - SI2333CDS-T1-E3
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MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3 - SI1307EDL-T1-E3
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